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IXFN102N30P 艾赛斯MOS管 功率二极管 原装现货
¥：100.00
| 详细参数 | |
|---|---|
| 型号：IXFN102N30P | 材料：硅 |
| 功耗：中频 | 封装：标准封装 |
| 最大工作电流：88 | 正常工作电流：88 |
| 击穿电压：300 | 工作温度范围：105℃ |
| 最大反向峰值电压：300V | 最大正向整流电流：88 |
产品详情
苏州银邦主营:
西门康赛米控(Semikron)公司; IGBT模块、 智能功率模块(SKiiP)、 晶闸管/二极管模块，整流桥、晶闸管/二极管分立器件、驱动电路、驱动板
英飞凌(infineon)功率模块公司: IGBT模块、 IGBT单管， 晶闸管/二极管、整流桥、驱动IC及驱动板、富士(FUJI) 功率模块
公司: IGBT模块、IGBT单管、场效应管、IPM、 驱动电路
三菱. (mitsubishi)功率模块公司: IGBT模块、PIM模块、IPM模块、驱动电路
瑞士CONCEPT公司、IGBT驱动器
德国(IXYS) 艾赛斯功率模块公司:可控硅模块、 快恢复二极管、整流桥模块、晶闸管模块
三社（SanRex）可控硅模块 二极管 快恢复二极管
巴斯曼（BUSSMANN）熔断器 西门子 罗兰熔断器
