苏州银邦主营:
西门康赛米控(Semikron)公司; IGBT模块、 智能功率模块(SKiiP)、 晶闸管/二极管模块，整流桥、晶闸管/二极管分立器件、驱动电路、驱动板
英飞凌(infineon)功率模块公司: IGBT模块、 IGBT单管， 晶闸管/二极管、整流桥、驱动IC及驱动板、富士(FUJI) 功率模块
公司: IGBT模块、IGBT单管、场效应管、IPM、 驱动电路
三菱. (mitsubishi)功率模块公司: IGBT模块、PIM模块、IPM模块、驱动电路
瑞士CONCEPT公司、IGBT驱动器
德国(IXYS) 艾赛斯功率模块公司:可控硅模块、 快恢复二极管、整流桥模块、晶闸管模块
三社（SanRex）可控硅模块 二极管 快恢复二极管
巴斯曼（BUSSMANN）熔断器 西门子 罗兰熔断器

 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点，已逐步取代晶闸管和GTO（门极可关断晶闸管），是目前发展最为迅速的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、 UPS 及逆变焊机当中。
  1. IGBT的工作原理
  IGBT由栅极（G）、发射极（E）和集电极（C）三个极控制。如图1，IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。由图2可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。