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Infineon英飞凌IGBT模块FF150R12KS4功率模块 急速发货
¥：285.00
| 详细参数 | |
|---|---|
| 型号：FF150R12KS4 | 用途：宽频带放大 |
| 封装外形：螺丝型 | 材料：MES金属半导体 |
| 相数：三相 | 控制方式：脉冲频率调制（PFM） |
| 主电路形式：全桥式 | 频率：高频 |
| 加工定制：是 | 导电沟道：N沟道 |
| 导电方式：增强型 | 极间电容：详询 |
| 开启电压：1200 | 夹断电压：1200 |
| 最大漏极电流：225 | 低频噪声系数：标准 |
| 最大散热功率：1250W | 产品认证：3C认证 |
产品详情
苏州银邦主营:
西门康赛米控(Semikron)公司; IGBT模块、 智能功率模块(SKiiP)、 晶闸管/二极管模块，整流桥、晶闸管/二极管分立器件、驱动电路、驱动板
英飞凌(infineon)功率模块公司: IGBT模块、 IGBT单管， 晶闸管/二极管、整流桥、驱动IC及驱动板、富士(FUJI) 功率模块
公司: IGBT模块、IGBT单管、场效应管、IPM、 驱动电路
三菱. (mitsubishi)功率模块公司: IGBT模块、PIM模块、IPM模块、驱动电路
瑞士CONCEPT公司、IGBT驱动器
德国(IXYS) 艾赛斯功率模块公司:可控硅模块、 快恢复二极管、整流桥模块、晶闸管模块
三社（SanRex）可控硅模块 二极管 快恢复二极管
巴斯曼（BUSSMANN）熔断器 西门子 罗兰熔断器
IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
